首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3265篇
  免费   596篇
  国内免费   615篇
化学   2739篇
晶体学   63篇
力学   202篇
综合类   16篇
数学   406篇
物理学   1050篇
  2024年   10篇
  2023年   59篇
  2022年   86篇
  2021年   102篇
  2020年   167篇
  2019年   150篇
  2018年   125篇
  2017年   105篇
  2016年   160篇
  2015年   175篇
  2014年   155篇
  2013年   244篇
  2012年   251篇
  2011年   267篇
  2010年   235篇
  2009年   263篇
  2008年   267篇
  2007年   248篇
  2006年   195篇
  2005年   197篇
  2004年   145篇
  2003年   141篇
  2002年   157篇
  2001年   146篇
  2000年   68篇
  1999年   69篇
  1998年   46篇
  1997年   21篇
  1996年   32篇
  1995年   34篇
  1994年   25篇
  1993年   24篇
  1992年   22篇
  1991年   24篇
  1990年   18篇
  1989年   10篇
  1988年   3篇
  1987年   8篇
  1986年   4篇
  1985年   7篇
  1982年   1篇
  1979年   3篇
  1977年   3篇
  1974年   1篇
  1957年   2篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有4476条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi2的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi2的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi2的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi2在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi2在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi2吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi2几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi2吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi2对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi2光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi2光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi2的光响应范围。研究结果为CrSi2基光电器件的应用与设计提供了理论依据。  相似文献   
2.
本研究采用水热法,以柠檬酸为螯合剂,通过控制n(Sn4+)/n(Sn2+)的数值,合成了由具有丰富氧空位的SnO2纳米晶体组装成的微球。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)及UV-Vis漫反射光谱对SnO2纳米微球进行表征分析,结果表明:在酸性水热条件和柠檬酸的螯合作用下,二氧化锡纳米晶体聚集形成微球;在Sn4+/Sn2+摩尔比例为3:7时,其微球尺寸最小,整体分散性较好;同时适量二价锡离子的掺杂使得该样品氧空位浓度达到最佳,氧空位的存在将使得样品光吸收范围拓展至可见光,因而该样品显示出较强的可见光催化效率,在8 min内完全降解甲基橙。  相似文献   
3.
Yang  Tianyong  Wang  Bofu  Wu  Jianzhao  Lu  Zhiming  Zhou  Quan 《应用数学和力学(英文版)》2021,42(8):1183-1190
The horizontal convection in a square enclosure driven by a linear temperature profile along the bottom boundary is investigated numerically by using a finite difference method. The Prandtl number is fixed at 4.38, and the Rayleigh number Ra ranges from107 to 1011. The convective flow is steady at a relatively low Rayleigh number, and no thermal plume is observed, whereas it transits to be unsteady when the Rayleigh number increases beyond the critical value. The scaling law for the Nusselt number Nu changes from Rossby's scaling Nu ~ Ra~(1/5) in a steady regime to Nu ~ Ra~(1/4) in an unsteady regime, which agrees well with the theoretically predicted results. Accordingly,the Reynolds number Re scaling varies from Re ~ Ra~(3/11) to Re ~ Ra~(2/5). The investigation on the mean flows shows that the thermal and kinetic boundary layer thickness and the mean temperature in the bulk zone decrease with the increasing Ra. The intensity of fluctuating velocity increases with the increasing Ra.  相似文献   
4.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了未掺杂Mg2Si以及Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构和光学性质.计算结果表明:Na掺杂Mg2Si后,费米能级进入价带,呈p型导电;Lu掺杂Mg2Si后,费米能级进入导带,呈n型导电.未掺杂Mg2Si对于能量低于0.5eV的光子几乎不吸收,但Na、Lu掺杂的Mg2Si对于能量低于0.5eV的光子还存在较大的吸收,即Na、Lu掺杂改善了Mg2Si对红外光子的吸收.掺杂后,可见光区的吸收系数与反射率明显减小,这说明掺杂的Mg2Si在可见光区的透过率增大.计算结果为Mg2Si 基光电器件的设计与应用提供了理论依据.  相似文献   
5.
The complex-scaled Green's function(CGF)method is employed to explore the single-proton resonance in 15F.Special attention is paid to the first excited resonant state 5/2+,which has been widely studied in both theory and experiments.However,past studies generally overestimated the width of the 5/2+state.The predicted energy and width of the first excited resonant state 5/2+by the CGF method are both in good agreement with the experimental value and close to Fortune's new estimation.Furthermore,the influence of the potential parameters and quadruple deformation effects on the resonant states are investigated in detail,which is helpful to the study of the shell structure evolution.  相似文献   
6.
拾取指定长度的半导体性碳纳米管对大规模制造碳纳米管场效应管具有重要意义.本文提出了一种利用原子力显微镜探针和钨针对碳纳米管进行可控长度拾取的方法并进行了碳纳米管导电性分析.在扫描电子显微镜下搭建微纳操作系统,针对切割操作过程中原子力显微镜探针、钨针和碳纳米管的接触情况进行了力学建模和拾取长度误差分析.建立了单根金属性碳纳米管、单根半导体性碳纳米管及碳纳米管束与钨针接触的电路模型,推导了接入不同性质碳纳米管后电路的电流电压特性方程.使用原子力显微镜探针对碳纳米管的空间位姿进行调整,控制钨针对碳纳米管上目标位置进行通电切割,同时获取切割电路中的电流电压数据.实验结果表明,本文提出的方法能够有效控制所拾取碳纳米管的长度,增加碳纳米管与原子力显微镜探针的水平接触长度能够减小碳纳米管形变导致的拾取长度误差,建立的电流电压特性方程能够用于分析碳纳米管的导电性.  相似文献   
7.
Mesoporous carbon (m‐C) has potential applications as porous electrodes for electrochemical energy storage, but its applications have been severely limited by the inherent fragility and low electrical conductivity. A rational strategy is presented to construct m‐C into hierarchical porous structures with high flexibility by using a carbon nanotube (CNT) sponge as a three‐dimensional template, and grafting Pt nanoparticles at the m‐C surface. This method involves several controllable steps including solution deposition of a mesoporous silica (m‐SiO2) layer onto CNTs, chemical vapor deposition of acetylene, and etching of m‐SiO2, resulting in a CNT@m‐C core–shell or a CNT@m‐C@Pt core–shell hybrid structure after Pt adsorption. The underlying CNT network provides a robust yet flexible support and a high electrical conductivity, whereas the m‐C provides large surface area, and the Pt nanoparticles improves interfacial electron and ion diffusion. Consequently, specific capacitances of 203 and 311 F g?1 have been achieved in these CNT@m‐C and CNT@m‐C@Pt sponges as supercapacitor electrodes, respectively, which can retain 96 % of original capacitance under large degree compression.  相似文献   
8.
Let X = {X(t):t ∈ R~N} be an anisotropic random field with values in R~d.Under certain conditions on X,we establish upper and lower bounds on the hitting probabilities of X in terms of respectively Hausdorff measure and Bessel-Riesz capacity.We also obtain the Hausdorff dimension of its inverse image,and the Hausdorff and packing dimensions of its level sets.These results are applicable to non-linear solutions of stochastic heat equations driven by a white in time and spatially homogeneous Gaussian noise and anisotropic Guassian random fields.  相似文献   
9.
中空介孔SiO2由于中空多孔的结构而常用作功能材料的基底.将中空介孔SiO2进行官能团修饰,并应用为荧光传感材料是中空介孔SiO2一个重要的研究领域.本论文采用聚丙烯酸(PAA)为中空模板,聚醚F127为造孔剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,氨水为催化剂在乙醇体系中制备了中空介孔SiO2纳米球.系统研究了搅拌速度和聚醚F127引入量对中空介孔SiO2纳米球形貌及比表面积的影响.通过透射电镜、N2-等温吸附脱附曲线等表征说明该合成方法具有很好的普适性,通过调节F127的引入可以实现对比表面积的有效控制.通过氨基化、席夫碱反应进行荧光修饰,进一步研究表明荧光修饰后的中空介孔SiO2纳米球在水溶液中能够实现对Al3+的有效检测,检测限为1.19×10 -7M.  相似文献   
10.
本文采用纯化的海泡石作为硅源,在不需要模板和煅烧工艺的条件下,制备出了石英相的硅纳米管(SNTs),并对获得样品进行了XRD、FTIR和SEM等表征.制得的SNTs具有40~50 nm外径,管腔直径为10~15 nm,长度为20~100 μm.此外,研究了SNTs对于Pb2+的吸附行为.结果表明,Pb2+吸附量随初始Pb2+浓度,吸附时间,温度和溶液pH值(<5)增加而增加.在溶液pH为5时,SNTs对于Pb2+的吸附平衡的吸附焓(ΔH)和熵变(ΔS)分别为6.28 kJ/mol和69.8 J/mol· K.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号